Quick Charge2.0技术的介绍
所谓QC2.0技术，其实就是结合了高通骁龙800系列芯片组的手机快速充电方案，将基于Quick Charge2.0即QC2.0协议规定的可以自适应输出5V、9V或12V的墙上充电器对支持Quick Charge2.0协议的手机等移动设备进行快速充电。QC2.0快速充电技术的工作原理是在充电电流限额的情况下来增加输出电压，进而使充电功率进一步增加，使得充电时间大大缩短。并且分为A级和B级两种行业标准。A标准：5V、9V和12V输出电压，B标准：5V、9V、12V和20V输出电压。
Quick Charge3.0技术的介绍
在快充技术Quick Charge2.0得到普及之后，高通宣布推出其下一代快速充电技术Qualcomm-Quick Charge3.0。
作为快速充电技术的第三代产品，Quick Charge3.0在同类产品中采用电压智能协商（Intelligent Negotiation forOptimum Voltage，INOV）算法。INOV是由Qualcomm Technologies开发的全新算法，旨在帮助便携设备具备选定所需功率电平的能力，以在任意时刻实现佳功率传输，且大化效率。Quick Charge3.0首次采用了“佳电压智能协商（Intelligent Negotiation for Optimum Voltage，INOV）算法，可在任意时刻实现佳功率传输，且大化效率。
Quick Charge 3.0能在大约35分钟内将一部普通的手机从零电量充电至80%，而不具备Quick Charge的传统移动终端通常需要大致一个半小时的时间。与上一代相比，借助INOV和其他先进技术的Quick Charge 3.0，可实现比Quick Charge2.0达38%的效率提升，同时还采用其他方法帮助保护电池寿命周期。